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| Artikel-Nr.:
4503-30S1122 Herst.-Nr.:
STP3N150 EAN/GTIN:
4099879033901 |
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| Leistungs-MOSFET, STP3N150, STMicroelectronics Der STP3N150 ist ein PowerMESH™ N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit minimierten Eigenkapazitäten und Qg. Dieser Leistungs-MOSFET wurde unter Verwendung des konsolidierten, auf dem Streifenlayout basierenden MESH OVERLAY™ Prozesses des Unternehmens entwickelt. Das Ergebnis ist ein Produkt, das die Leistung vergleichbarer Standard-Bauteile anderer Hersteller erreicht oder verbessert. Features * 100% lawinengeprüft * Hochgeschwindigkeits-Umschaltung * Die Kriechstrecke beträgt 5,4 mm Weitere Informationen: | | Ausführung: | N-Kanal | Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V: | 9 Ω | Gate Charge Qg @10V (nC): | 10 nC | Gehäuse: | TO-220 | max. Spannung: | 1500 V | max. Strom: | 2.5 A | max. Temperatur: | 150 °C | min. Temperatur: | -55 °C | Montage: | THT | Verlustleistung W (DC): | 63 W | Gewicht: | 0.0019 kg | Ursprungsland: | CN | SVHC frei: | Ja | RoHS konform: | Ja |
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| Weitere Suchbegriffe: feldeffekttransistor, Halbleiter, Semiconductor, Aktive Bauelemente, Schalttransistor, Transistor, FET |
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| | | | | Lagerstand: Lager 4503 | | Versand: Lager 4503 | | | | | | Bestellwert | Versand | ab € 0,00* | € 8,30* | | ab € 55,00* | Frei Haus |
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