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| Artikel-Nr.:
4503-30S1123 Herst.-Nr.:
STP3NK80Z EAN/GTIN:
4099879033918 |
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| Leistungs-MOSFET, STP3NK80Z, STMicroelectronics Der STP3NK80Z ist ein 800V N-Kanal Zener-geschützter Power-MOSFET, der unter Verwendung der SuperMESH™ Technologie entwickelt wurde, was durch die Optimierung des gut etablierten streifenbasierten PowerMESH™ Layouts erreicht wurde. Neben der deutlichen Verringerung des Durchlasswiderstandes wird besonders darauf geachtet, dass eine sehr gute dv/dt-Fähigkeit für die anspruchsvollsten Anwendungen gewährleistet ist. Verbesserte Gate-Ladung und geringere Verlustleistung, um den heutigen anspruchsvollen Effizienzanforderungen gerecht zu werden. Features * Extrem hohe dv/dt Fähigkeit * 100% lawinengeprüft * Gate-Ladung minimiert * Sehr niedrige intrinsische Kapazität * Sehr gute Wiederholbarkeit der Fertigung Weitere Informationen: | | Ausführung: | N-Kanal | Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V: | 4.5 Ω | Gate Charge Qg @10V (nC): | 10 nC | Gehäuse: | TO-220 | max. Spannung: | 800 V | max. Strom: | 2.5 A | max. Temperatur: | 150 °C | min. Temperatur: | -55 °C | Montage: | THT | Verlustleistung W (DC): | 70 W | Gewicht: | 0.003 kg | SVHC frei: | Ja | RoHS konform: | Ja |
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| Weitere Suchbegriffe: feldeffekttransistor, Halbleiter, Semiconductor, Aktive Bauelemente, Schalttransistor, Transistor, FET |
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