MOSFET, N-Kanal, 650V, 60A, TO-268HV

Bezeichnung=MOSFET, Typ=IXFT60N65X2HV, Abfallzeit=12 ns, Anstiegzeit=23 ns, Ausschaltverzögerung=63 ns, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Spannung (Vds)=650 V, Einschaltverzögerung=30 ns, Gate-Source-Spannung=30 V, Kontinuierlicher Drain-Strom (Id)=60 A, Leistungsverteilung (PV)=780 W, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=260 °C, Widerstand EIN (Rds(On))=52 mΩ, Bauform=TO-268HV, Konfiguration=Einfach, Montageart=SMT, Transistor-Polarität=N-Kanal, Verpackung=Röhre