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IGBT, 1.2kV, 200A, TO-247


Menge:  Stück  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     5KQH2-30253450
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXYH82N120C3
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
ixys igbt
Bezeichnung=IGBT, Typ=IXYH82N120C3, Betriebstemperatur, max.=175 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Emitter-Leckstrom=100 nA, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=1.2 kV, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vce(sat))=3.2 V, Kontinuierlicher Kollektor-Strom (Ic)=200 A, Leistungsverteilung (PV)=1.25 kW, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=260 °C, Spannung Gate-Emitter (Vge)=20 V, Bauform=TO-247, Konfiguration=Einfach, Montageart=Durchsteckmontage, Verpackung=Röhre
Weitere Informationen:
Ursprungsland:
PH
Höhe:
5 mm
Tiefe:
41 mm
Bruttogewicht:
6 g
Breite:
16 mm
MERCATEO_WA_NR:
8541100000
Weitere Suchbegriffe: igbt
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