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| Artikel-Nr.: 822EL-1007565 Herst.-Nr.: MJ11016G EAN/GTIN: 5059042283570 |
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| Transistor-Typ = NPN Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A Kollektor-Emitter-Spannung = 120 V Basis-Emitter Spannung max. = 5 V Gehäusegröße = TO-204 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Transistor-Konfiguration = Einfach Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Gleichstromverstärkung min. = 200 Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. = 5 V Kollektor-Basis-Spannung max. = 120 V Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. = 4 V Betriebstemperatur min. = –55 °C
Hersteller-Teilenummern mit S oder NSV als Präfix sind gemäß der Norm AEC-Q101 für die Automobilindustrie zugelassen. NPN-Darlington-Transistoren, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | Dauer-Kollektorstrom max.: | 30 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 120 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V | Gehäusegröße: | TO-204 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Gleichstromverstärkung min.: | 200 | Basis-Emitter-Sättigungsspannung max.: | 5 V | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 120 V | Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.: | 4 V | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: schalttransistor npn, leistungstransistor, onsemi transistor, 1007565, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Darlington Transistoren, onsemi, MJ11016G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Darlington Pairs |
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