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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STP13NK60Z N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 13 A 150 W, 3-Pin TO-220


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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STP13NK60Z N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 13 A 150 W, 3-Pin TO-220
Artikel-Nr.:
     822EL-1031079
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STP13NK60Z
EAN/GTIN:
     5059042275056
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 13 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 550 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 150 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = MDmesh, SuperMESH

N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 250 V bis 650 V, STMicroelectronics
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
13 A
Drain-Source-Spannung max.:
600 V
Gehäusegröße:
TO-220
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
550 mO
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
4.5V
Gate-Schwellenspannung min.:
3V
Verlustleistung max.:
150 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
-30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Serie:
MDmesh, SuperMESH
Weitere Suchbegriffe: stm mosfet, mosfet, mosfet 13a, 1031079, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STP13NK60Z, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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