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STMicroelectronics STripFET II STB80NF55L-06T4 N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 80 A 300 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)


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STMicroelectronics STripFET II STB80NF55L-06T4 N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 80 A 300 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Artikel-Nr.:
     822EL-1031567
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STB80NF55L-06T4
EAN/GTIN:
     5059042010695
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 80 A
Drain-Source-Spannung max. = 55 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 7 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 300 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –16 V, +16 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = STripFET II

N-Kanal STripFET™ II, STMicroelectronics. STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
80 A
Drain-Source-Spannung max.:
55 V
Gehäusegröße:
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
7 mO
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.:
1V
Verlustleistung max.:
300 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
–16 V, +16 V
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Serie:
STripFET II
Weitere Suchbegriffe: Transistor, stm mosfet, smd transistor, mosfet 80a, 1031567, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STB80NF55L06T4, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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