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STMicroelectronics MDmesh DM2 STB18N60DM2 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 12 A 90 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Produktinformationen

STMicroelectronics MDmesh DM2 STB18N60DM2 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 12 A 90 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Artikel-Nr.:
822EL-1116459

Hersteller:
ST Microelectronics

Herst.-Nr.:
STB18N60DM2

EAN/GTIN:
5059042898477

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 12 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 290 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 90 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Diodendurchschlagsspannung = 1.6V

N-Kanal Serie MDmesh DM2, STMicroelectronics. Die MOSFETs der Serie MDmesh DM2 bieten einen niedrigen RDS(on), und mit der verbesserten Sperrerholungszeit für eine hohe Effizienz wurde diese Serie über phasenverschobene Vollbrücken-ZVS-Topologien optimiert. Hohe dV/dt-Fähigkeit für verbesserte Systemzuverlässigkeit AEC-Q101-qualifiziert

Weitere Informationen:


Channel-Typ:	N
Dauer-Drainstrom max.:	12 A
Drain-Source-Spannung max.:	600 V
Gehäusegröße:	D2PAK (TO-263)
Montage-Typ:	SMD
Pinanzahl:	3
Drain-Source-Widerstand max.:	290 mO
Channel-Modus:	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:	5V
Gate-Schwellenspannung min.:	3V
Verlustleistung max.:	90 W
Transistor-Konfiguration:	Einfach
Gate-Source Spannung max.:	–25 V, +25 V
Betriebstemperatur max.:	+150 °C
Diodendurchschlagsspannung:	1.6V

... > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Mosfet

Weitere Suchbegriffe: Transistor, stm mosfet, smd transistor, 1116459, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STB18N60DM2, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs

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