|  |
| |
| Artikel-Nr.:
822EL-1219587 Herst.-Nr.:
BSN20-7 EAN/GTIN:
5059043267760 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 500 mA
Drain-Source-Spannung max. = 50 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 2 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1.5V
Verlustleistung max. = 920 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Betriebstemperatur min. = –55 °C
N-Kanal-MOSFET, 40 V bis 90 V, Diodes Inc Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 500 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 50 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 2 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.5V | Verlustleistung max.: | 920 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: mosfet sot-23, 1219587, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, BSN207, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |