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| Artikel-Nr.:
822EL-1220000 Herst.-Nr.:
ZVN4206ASTZ EAN/GTIN:
5059043152868 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 600 mA
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = E-Line
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 1 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3V
Verlustleistung max. = 700 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 2.41mm
Höhe = 4.01mm
N-Kanal-MOSFET, 40 V bis 90 V, Diodes Inc Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 600 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | E-Line | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 1 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3V | Verlustleistung max.: | 700 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 2.41mm | Höhe: | 4.01mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1220000, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, ZVN4206ASTZ, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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