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| Artikel-Nr.:
822EL-1220606 Herst.-Nr.:
ZXMN2F30FHTA EAN/GTIN:
5059043273099 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 4,9 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 65 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1.5V
Verlustleistung max. = 1,4 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -12 V, +12 V
Länge = 3.04mm
Höhe = 1.12mm
N-Kanal-MOSFET, 12 V bis 28 V, Diodes Inc. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 4,9 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 65 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.5V | Verlustleistung max.: | 1,4 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -12 V, +12 V | Länge: | 3.04mm | Höhe: | 1.12mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet sot-23, 1220606, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, ZXMN2F30FHTA, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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