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| Artikel-Nr.:
822EL-1220609 Herst.-Nr.:
ZXMN10A25GTA EAN/GTIN:
5059043135335 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 4 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = SOT-223
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 125 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Verlustleistung max. = 3,9 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 3.7mm
Betriebstemperatur min. = –55 °C
N-Kanal-MOSFET, 100 V bis 950 V, Diodes Inc. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 4 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | SOT-223 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 125 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Verlustleistung max.: | 3,9 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 3.7mm | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet sot-223, 1220609, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, ZXMN10A25GTA, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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