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| Artikel-Nr.:
822EL-1221263 Herst.-Nr.:
ZVN4525GTA EAN/GTIN:
5059043264011 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 310 mA
Drain-Source-Spannung max. = 250 V
Gehäusegröße = SOT-223
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 9,5 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1.8V
Verlustleistung max. = 2 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -40 V, +40 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur min. = –55 °C
N-Kanal-MOSFET, 100 V bis 950 V, Diodes Inc. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 310 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 250 V | Gehäusegröße: | SOT-223 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 9,5 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.8V | Verlustleistung max.: | 2 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -40 V, +40 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 1221263, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, ZVN4525GTA, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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