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| Artikel-Nr.:
822EL-1221421 Herst.-Nr.:
ZXMHC10A07N8TC EAN/GTIN:
5059043134444 |
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| Channel-Typ = N, P
Dauer-Drainstrom max. = 1 A, 850 mA
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = SOIC
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 1,45 Ω, 900 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Verlustleistung max. = 1,36 W
Transistor-Konfiguration = Vollbrücke
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 4mm
Höhe = 1.5mm
MOSFET-H-Brücke mit Complementary Enhancement Mode, Diodes Inc. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N, P | Dauer-Drainstrom max.: | 1 A, 850 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | SOIC | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 1,45 O, 900 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Verlustleistung max.: | 1,36 W | Transistor-Konfiguration: | Vollbrücke | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 4mm | Höhe: | 1.5mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1221421, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, ZXMHC10A07N8TC, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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