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| Artikel-Nr.: 822EL-1222418 Herst.-Nr.: ZVNL110ASTZ EAN/GTIN: 5059043284569 |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 320 mA Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = TO-92 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 3 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 1.5V Verlustleistung max. = 700 mW Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Betriebstemperatur max. = +150 °C Höhe = 4.01mm
N-Kanal-MOSFET, 100 V bis 950 V, Diodes Inc. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 320 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | TO-92 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 3 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.5V | Verlustleistung max.: | 700 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Höhe: | 4.01mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1222418, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, ZVNL110ASTZ, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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