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| Artikel-Nr.:
822EL-1222870 Herst.-Nr.:
DMG1024UV-7 EAN/GTIN:
5059043602448 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 1,38 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = SOT-563
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 10 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1V
Verlustleistung max. = 530 mW
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Gate-Source Spannung max. = -6 V, +6 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Betriebstemperatur min. = –55 °C
Zweifacher N-Kanal-MOSFET, Diodes Inc. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 1,38 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | SOT-563 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 10 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1V | Verlustleistung max.: | 530 mW | Transistor-Konfiguration: | Isoliert | Gate-Source Spannung max.: | -6 V, +6 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, 1222870, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, DMG1024UV7, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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