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onsemi IGBT / 80 A ±20V max., 1200 V 298 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     822EL-1241406
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     HGT1S10N120BNST
EAN/GTIN:
     5059042130850
Suchbegriffe:
IGBT
SMD-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 298 W
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Schaltgeschwindigkeit = 1MHz
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 10.67 x 11.33 x 4.83mm
Betriebstemperatur min. = –55 °C

Diskrete IGBTs, 1000 V und mehr, Fairchild Semiconductor
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
80 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
1200 V
Gate-Source Spannung max.:
±20V
Verlustleistung max.:
298 W
Gehäusegröße:
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ:
SMD
Channel-Typ:
N
Pinanzahl:
3
Schaltgeschwindigkeit:
1MHz
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Abmessungen:
10.67 x 11.33 x 4.83mm
Betriebstemperatur min.:
–55 °C
Weitere Suchbegriffe: on semiconductor igbt, smd transistor, 1241406, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, HGT1S10N120BNST, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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