Nexperia PSMN3R3-40YS,115 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 117 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 100 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = LFPAK, SOT-669
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 4,5 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 117 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +175 °C
Höhe = 1.1mm

N-Kanal-MOSFET, 40 V bis 55 V