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| Artikel-Nr.: 822EL-1246784 Herst.-Nr.: RE1C002UNTCL EAN/GTIN: 5059043797762 |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 200 mA Drain-Source-Spannung max. = 20 V Gehäusegröße = SC-75 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 4,8 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 1V Gate-Schwellenspannung min. = 0.3V Verlustleistung max. = 150 mW Gate-Source Spannung max. = –8 V, +8 V Betriebstemperatur max. = +150 °C Serie = RE1C002UN
N-Kanal-MOSFET-Transistoren, ROHM Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 200 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | SC-75 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 4,8 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.3V | Verlustleistung max.: | 150 mW | Gate-Source Spannung max.: | –8 V, +8 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Serie: | RE1C002UN |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, rohm mosfet, smd transistor, sc transistor, 1246784, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, ROHM, RE1C002UNTCL, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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