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| Artikel-Nr.:
822EL-1258048 Herst.-Nr.:
IXTN200N10L2 EAN/GTIN:
5059041070676 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 178 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = SOT-227
Montage-Typ = Schraubmontage
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 11 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 830 W
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Länge = 38.23mm
Diodendurchschlagsspannung = 1.4V
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS Serie Linear. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs speziell für den linearen Betrieb. Diese Geräte verfügen über einen erweiterten Betriebsbereich in Durchlassrichtung (FBSOA) für erhöhte Robustheit und Zuverlässigkeit. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 178 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | SOT-227 | Montage-Typ: | Schraubmontage | Pinanzahl: | 4 | Drain-Source-Widerstand max.: | 11 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 830 W | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Länge: | 38.23mm | Diodendurchschlagsspannung: | 1.4V |
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| Weitere Suchbegriffe: 1258048, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, IXTN200N10L2, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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| | | Angebote (2) | | |
| | Lagerstand | | | Versand | | | | | | | | | | | | | | Lager 822 | | | | | | € 8,95* | ab € 45,37* | € 61,85* | | | | | | | | | | | € 7,90* | ab € 40,76* | € 67,33* | | | | | | | | | | | | | | | | | Preise: Lager 822 | | Bestellmenge | Netto | Brutto | Einheit | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |
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| | | | | Lagerstand: Lager 822 | | Versand: Lager 822 | | | | | | Bestellwert | Versand | ab € 0,00* | € 8,95* | | ab € 85,00* | Frei Haus |
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