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Modul; einzelner Transistor; 100V; 178A; SOT227B; schraubbar; 830W


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Modul; einzelner Transistor; 100V; 178A; SOT227B; schraubbar; 830W
Modul; einzelner Transistor; 100V; 178A; SOT227B; schraubbar; 830W
Artikel-Nr.:
     8WUGW-IXTN200N10L2
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXTN200N10L2
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Hersteller: IXYS
Gehäuse: SOT227B
Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor
Bereitschaftszeit: 245ns
Drain-Source Spannung: 100V
Drainstrom: 178A
Widerstand im Leitungszustand: 11mΩ
Verlustleistung: 830W
Polarisierung: unipolar
Elektrische Montage: schraubbar
Mechanische Montage: schraubbar
Modul-Typ: Bipolartransistor, MOSFET
Gate-Ladung: 540nC
Technologie: Linear L2™
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: 500A
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