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| Artikel-Nr.:
822EL-1258049 Herst.-Nr.:
IXXH80N65B4H1 EAN/GTIN:
5059041070683 |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 430 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 625 W
Gehäusegröße = TO-247AD
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Schaltgeschwindigkeit = 5 → 30kHz
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 16.1 x 5.2 x 21.3mm
Betriebstemperatur min. = –55 °C
IGBTs, diskret, IXYS Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 430 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 650 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20V | Verlustleistung max.: | 625 W | Gehäusegröße: | TO-247AD | Montage-Typ: | THT | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 3 | Schaltgeschwindigkeit: | 5 ? 30kHz | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Abmessungen: | 16.1 x 5.2 x 21.3mm | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt, 1258049, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, IXXH80N65B4H1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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