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| Artikel-Nr.:
822EL-1258051 Herst.-Nr.:
IXXK110N65B4H1 EAN/GTIN:
5059041077675 |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 570 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 880 W
Gehäusegröße = TO-264
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Schaltgeschwindigkeit = 10 → 30kHz
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 20.3 x 5.3 x 26.6mm
Betriebstemperatur min. = –55 °C
IGBTs, diskret, IXYS Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 570 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 650 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20V | Verlustleistung max.: | 880 W | Gehäusegröße: | TO-264 | Montage-Typ: | THT | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 3 | Schaltgeschwindigkeit: | 10 ? 30kHz | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Abmessungen: | 20.3 x 5.3 x 26.6mm | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt, 1258051, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, IXXK110N65B4H1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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