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| Artikel-Nr.:
822EL-1332796 Herst.-Nr.:
TK11P65W,RQ(S EAN/GTIN:
5059041318501 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 11,1 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 440 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V
Verlustleistung max. = 100 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Diodendurchschlagsspannung = 1.7V
MOSFET N-Kanal, Serie TK1x, Toshiba Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 11,1 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 440 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2.5V | Verlustleistung max.: | 100 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Diodendurchschlagsspannung: | 1.7V |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, toshiba mosfet, smd transistor, 11a mosfet, 1332796, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, TK11P65W,RQ(S, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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