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| Artikel-Nr.:
822EL-1332860 Herst.-Nr.:
SCT2H12NZGC11 EAN/GTIN:
5059043081687 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 3,7 A
Drain-Source-Spannung max. = 1700 V
Gehäusegröße = TO-3PFM
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 1,5 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.6V
Verlustleistung max. = 35 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -6 V, +22 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Höhe = 21mm
N-Kanal-MOSFET-Transistoren, ROHM Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 3,7 A | Drain-Source-Spannung max.: | 1700 V | Gehäusegröße: | TO-3PFM | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 1,5 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.6V | Verlustleistung max.: | 35 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -6 V, +22 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Höhe: | 21mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1332860, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, ROHM, SCT2H12NZGC11, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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