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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,7kV; 3,7A; Idm: 9,2A; 35W


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-SCT2H12NZGC11
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     SCT2H12NZGC11
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
rohm mosfet
mosfet
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Montage: THT
Gehäuse: TO3PFM
Drain-Source Spannung: 1,7kV
Drainstrom: 3,7A
Widerstand im Leitungszustand: 1,5Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 35W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 14nC
Technologie: SiC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: -6...22V
Drainstrom im Impuls: 9,2A
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