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| Artikel-Nr.:
822EL-1349159 Herst.-Nr.:
SIR632DP-T1-RE3 EAN/GTIN:
5059040798052 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 29 A
Drain-Source-Spannung max. = 150 V
Gehäusegröße = PowerPAK SO-8
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 41 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 69,5 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Höhe = 1.12mm
N-Kanal MOSFET, TrenchFET bis Gen III, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 29 A | Drain-Source-Spannung max.: | 150 V | Gehäusegröße: | PowerPAK SO-8 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 41 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 69,5 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Höhe: | 1.12mm |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, 1349159, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SIR632DPT1RE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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