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Vishay TrenchFET SIR680DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 100 A 104 W, 8-Pin PowerPAK SO-8


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     822EL-1349161
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIR680DP-T1-RE3
EAN/GTIN:
     5059040660731
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
mosfet vishay
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 100 A
Drain-Source-Spannung max. = 80 V
Gehäusegröße = PowerPAK SO-8
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 3,4 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 104 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Diodendurchschlagsspannung = 1.1V

N-Kanal MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
100 A
Drain-Source-Spannung max.:
80 V
Gehäusegröße:
PowerPAK SO-8
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
8
Drain-Source-Widerstand max.:
3,4 mO
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
3.4V
Gate-Schwellenspannung min.:
2V
Verlustleistung max.:
104 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.:
+150 °C
Diodendurchschlagsspannung:
1.1V
Weitere Suchbegriffe: smd transistor, mosfet 100a, 1349161, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SIR680DPT1RE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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