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| Artikel-Nr.:
822EL-1349165 Herst.-Nr.:
SIRA90DP-T1-RE3 EAN/GTIN:
5059040660885 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 100 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = PowerPAK SO-8
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 1,15 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.8V
Verlustleistung max. = 104 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 102 nC @ 10 V
Diodendurchschlagsspannung = 1.1V
N-Kanal MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 100 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | PowerPAK SO-8 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 1,15 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.8V | Verlustleistung max.: | 104 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | +20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 102 nC @ 10 V | Diodendurchschlagsspannung: | 1.1V |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 100a, 1349165, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SIRA90DPT1RE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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