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| Artikel-Nr.:
822EL-1441203 Herst.-Nr.:
IKW75N65ES5XKSA1 EAN/GTIN:
5059043694672 |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±20 V, ±30V
Verlustleistung max. = 395 W
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Schaltgeschwindigkeit = 30kHz
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 16.13 x 5.21 x 21.1mm
Betriebstemperatur min. = –40 °C
Infineon TrenchStop IGBT-Transistoren, 600 und 650 V. Eine Serie von IGBT-Transistoren von Infineon mit Kollektor-Emitter-Nennspannungen von 600 und 650 V mit TrenchStop™-Technologie. Das Angebot umfasst Geräte mit integrierter hoher Geschwindigkeit, kurze Erholzeit, antiparallel geschalteter Diode. Kollektor-Emitter – Spannungsbereich 600 bis 650 V Sehr geringer VCEsat Niedrige Abschaltverluste Kurzer Deaktivierungsstrom Geringe elektromagnetische Störungen Maximale Verbindungstemperatur 175°C Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 80 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 650 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V, ±30V | Verlustleistung max.: | 395 W | Gehäusegröße: | TO-247 | Montage-Typ: | THT | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 3 | Schaltgeschwindigkeit: | 30kHz | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Abmessungen: | 16.13 x 5.21 x 21.1mm | Betriebstemperatur min.: | –40 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt, 1441203, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IKW75N65ES5XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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