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| Artikel-Nr.: 822EL-1464232 Herst.-Nr.: IXFH80N25X3 EAN/GTIN: 5059041650878 |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 80 A Drain-Source-Spannung max. = 250 V Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 16 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V Verlustleistung max. = 390 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = ±20 V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Höhe = 21.45mm
Niedrigster Betriebswiderstand RDS(ON) und Gate-Ladung Qg Diode mit Gehäuse mit kurzer, weicher Erholzeit dv/dt Robustheit Überlegene Durchbruchfähigkeit Gehäuse nach internationaler Norm Akkuladegeräte für leichte Elektrofahrzeuge Synchrone Gleichrichtung in Schaltnetzteilen Motorsteuerung DC/DC-Konverter Unterbrechungsfreie Stromversorgungen Elektrisch betriebene Gabelstapler Audioverstärker der Klasse D Telekommunikationssysteme Hohe Effizienz Hohe Leistungsdichte Erhöhte Systemzuverlässigkeit Einfache Integration200 MHz/330 DMI/s, MIPS32 microAptiv-Kern Dual Panel Flash für Live-Update-Unterstützung 12 bit, 18 Mbit/s, 45-Kanal-ADC-Modul Speicherverwaltungseinheit für optimale Ausführung des eingebetteten OS microMIPS-Modus für bis zu 35 % Code-Kompression CAN, UART, I2C, PMP, EBI, SQI- & analoge Komparatoren SPI/I2S-Schnittstellen für Audioverarbeitung und -wiedergabe Hi-Speed USB-Gerät/Host/OTG 10/100 Mbit/s Ethernet MAC mit MII- und RMII-Schnittstelle Erweiterter Speicherschutz 2 MB Flash-Speicher (plus zusätzliche 160 KB Boot-Flash ) 640 KB SRAM-Speicher Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 80 A | Drain-Source-Spannung max.: | 250 V | Gehäusegröße: | TO-247 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 16 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2.5V | Verlustleistung max.: | 390 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Höhe: | 21.45mm |
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| Weitere Suchbegriffe: ixys mosfet, mosfet, 1464232, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, IXFH80N25X3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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