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| Artikel-Nr.:
822EL-1464442 Herst.-Nr.:
SI3476DV-T1-GE3 EAN/GTIN:
5059040665095 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 4,6 A
Drain-Source-Spannung max. = 80 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 126 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.2V
Verlustleistung max. = 3,6 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Länge = 3.1mm
Höhe = 1mm Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 4,6 A | Drain-Source-Spannung max.: | 80 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 126 m? | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.2V | Verlustleistung max.: | 3,6 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Länge: | 3.1mm | Höhe: | 1mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet sot-23, 1464442, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SI3476DVT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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