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| Artikel-Nr.:
822EL-1623302 Herst.-Nr.:
IRF3710ZSTRLPBF EAN/GTIN:
5059043501475 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 59 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 18 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 160 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Länge = 10.67mm
Höhe = 4.83mm Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 59 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 18 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 160 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Länge: | 10.67mm | Höhe: | 4.83mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet d2pak, 1623302, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRF3710ZSTRLPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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