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Infineon IGBT / 75 A ±20V max. , 1200 V 938 W, 3-Pin TO-247 P-Kanal


Menge:  Stück  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     822EL-1623324
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IKQ75N120CT2XKSA1
EAN/GTIN:
     5059043485492
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt infineon
Dauer-Kollektorstrom max. = 75 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 938 W
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = P
Pinanzahl = 3
Schaltgeschwindigkeit = 20kHz
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 15.9 x 5.1 x 21.1mm
Betriebstemperatur min. = –40 °C
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
75 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
1200 V
Gate-Source Spannung max.:
±20V
Verlustleistung max.:
938 W
Gehäusegröße:
TO-247
Montage-Typ:
THT
Channel-Typ:
P
Pinanzahl:
3
Schaltgeschwindigkeit:
20kHz
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Abmessungen:
15.9 x 5.1 x 21.1mm
Betriebstemperatur min.:
–40 °C
Weitere Suchbegriffe: igbt, transistor to-247, 1623324, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IKQ75N120CT2XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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