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onsemi MJE3055TG THT, NPN Transistor 60 V / 10 A 2 MHz, TO-220AB 3-Pin


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onsemi MJE3055TG THT, NPN Transistor 60 V / 10 A 2 MHz, TO-220AB 3-Pin
onsemi MJE3055TG THT, NPN Transistor 60 V / 10 A 2 MHz, TO-220AB 3-Pin
Artikel-Nr.:
     822EL-1632504
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     MJE3055TG
EAN/GTIN:
     5059042461244
Suchbegriffe:
Leistungstransistor
Schalttransistor
Transistor
schalttransistor npn
Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 10 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 60 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Verlustleistung max. = 75 W
Gleichstromverstärkung min. = 20
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = 70 V
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V
Arbeitsfrequenz max. = 2 MHz
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur max. = +150 °C

Hersteller-Teilenummern mit NSV-Präfix sind gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassen. NPN-Leistungstransistoren, ON Semiconductor
Weitere Informationen:
Transistor-Typ:
NPN
DC Kollektorstrom max.:
10 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
60 V
Gehäusegröße:
TO-220AB
Montage-Typ:
THT
Verlustleistung max.:
75 W
Gleichstromverstärkung min.:
20
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max.:
70 V
Basis-Emitter Spannung max.:
5 V
Arbeitsfrequenz max.:
2 MHz
Pinanzahl:
3
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Betriebstemperatur max.:
+150 °C
Weitere Suchbegriffe: leistungstransistor, onsemi transistor, 1632504, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, MJE3055TG, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors
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