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| Artikel-Nr.:
822EL-1656282 Herst.-Nr.:
SI4909DY-T1-GE3 EAN/GTIN:
5059040652781 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 6,5 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = SOIC
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 34 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1.2V
Verlustleistung max. = 3,2 W
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Höhe = 1.55mm
Zweifach-P-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 6,5 A | Drain-Source-Spannung max.: | 40 V | Gehäusegröße: | SOIC | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 34 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.2V | Verlustleistung max.: | 3,2 W | Transistor-Konfiguration: | Isoliert | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Höhe: | 1.55mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1656282, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SI4909DYT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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