|  |
| |
| Artikel-Nr.:
822EL-1656339 Herst.-Nr.:
SI7900AEDN-T1-GE3 EAN/GTIN:
5059040763906 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 6 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 36 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 0.4V
Verlustleistung max. = 1,5 W
Transistor-Konfiguration = Gemeinsamer Drain
Gate-Source Spannung max. = -12 V, +12 V
Breite = 3.15mm
Betriebstemperatur min. = –55 °C
Zweifach-N-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 6 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | PowerPAK 1212-8 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 36 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.4V | Verlustleistung max.: | 1,5 W | Transistor-Konfiguration: | Gemeinsamer Drain | Gate-Source Spannung max.: | -12 V, +12 V | Breite: | 3.15mm | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: 1656339, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SI7900AEDNT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |