Vishay SI2323DDS-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 4,3 A 1,7 W, 3-Pin SOT-23

Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 4,3 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 75 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 0.4V
Verlustleistung max. = 1,7 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –8 V, +8 V
Länge = 3.04mm
Höhe = 1.02mm

P-Kanal MOSFET, 8 V bis 20 V, Vishay Semiconductor