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Vishay SI2366DS-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5,8 A 2,1 W, 3-Pin SOT-23

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Produktinformationen

Artikel-Nr.:
822EL-1656910

Hersteller:
Vishay

Herst.-Nr.:
SI2366DS-T1-GE3

EAN/GTIN:
5059040651203

Suchbegriffe:

Diode
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 5,8 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 42 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1.2V
Verlustleistung max. = 2,1 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Höhe = 1.02mm

N-Kanal MOSFET, 30 V bis 50 V, Vishay Semiconductor

Weitere Informationen:


Channel-Typ:	N
Dauer-Drainstrom max.:	5,8 A
Drain-Source-Spannung max.:	30 V
Gehäusegröße:	SOT-23
Montage-Typ:	SMD
Pinanzahl:	3
Drain-Source-Widerstand max.:	42 mO
Channel-Modus:	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.:	1.2V
Verlustleistung max.:	2,1 W
Transistor-Konfiguration:	Einfach
Gate-Source Spannung max.:	-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.:	+150 °C
Höhe:	1.02mm

... > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Mosfet

Weitere Suchbegriffe: smd-transistor sot23, smd transistor, vishay diode, 1656910, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SI2366DST1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs

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