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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5,8A; Idm: 20A; 1,3W; SOT23

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Produktinformationen

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5,8A; Idm: 20A; 1,3W; SOT23

Artikel-Nr.:
8WUGW-SI2366DS-T1-GE3

Hersteller:
Vishay

Herst.-Nr.:
SI2366DS-T1-GE3

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

Diode
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor

Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: SOT23
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 5,8A
Widerstand im Leitungszustand: 36mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 1,3W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 10nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 20A

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Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, smd-transistor sot23, smd transistor, vishay diode

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