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| Artikel-Nr.:
822EL-1657261 Herst.-Nr.:
SIA461DJ-T1-GE3 EAN/GTIN:
5059040656185 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 12 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = PowerPAK SC-70
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 55 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 0.4V
Verlustleistung max. = 17,9 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –8 V, +8 V
Transistor-Werkstoff = Si
Höhe = 0.8mm
P-Kanal MOSFET, 8 V bis 20 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 12 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | PowerPAK SC-70 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 55 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.4V | Verlustleistung max.: | 17,9 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –8 V, +8 V | Transistor-Werkstoff: | Si | Höhe: | 0.8mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1657261, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SIA461DJT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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