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| Artikel-Nr.:
822EL-1658326 Herst.-Nr.:
DMN1019USN-7 EAN/GTIN:
5059043196589 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 11 A
Drain-Source-Spannung max. = 12 V
Gehäusegröße = SOT-346
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 41 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 0.8V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.35V
Verlustleistung max. = 1,2 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –8 V, +8 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Höhe = 1.3mm
N-Kanal-MOSFET, 12 V bis 28 V, Diodes Inc. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 11 A | Drain-Source-Spannung max.: | 12 V | Gehäusegröße: | SOT-346 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 41 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 0.8V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.35V | Verlustleistung max.: | 1,2 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –8 V, +8 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Höhe: | 1.3mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 11a, 1658326, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, DMN1019USN7, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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