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| Artikel-Nr.:
822EL-1658744 Herst.-Nr.:
DMG6402LVT-7 EAN/GTIN:
5059043988559 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 7,5 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = TSOT-26
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 42 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2V
Verlustleistung max. = 1,75 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 1.6mm
Höhe = 0.9mm
N-Kanal-MOSFET, 30 V, Diodes Inc Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 7,5 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | TSOT-26 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 42 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2V | Verlustleistung max.: | 1,75 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 1.6mm | Höhe: | 0.9mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1658744, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, DMG6402LVT7, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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