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| Artikel-Nr.:
822EL-1660979 Herst.-Nr.:
IHW30N135R3FKSA1 EAN/GTIN:
5059043586809 |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1350 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 349 W
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 16.13 x 5.21 x 21.1mm
Gate-Kapazität = 2066pF
TrenchStop-IGBT-Transistoren von Infineon, 1100–1600 V. Eine Serie von IGBT-Transistoren von Infineon mit Kollektor-Emitter-Nennspannungen von 1100 bis 1600 V mit TrenchStop™-Technologie. Die Serie umfasst Geräte mit integrierter antiparallel geschalteter Hochgeschwindigkeitsdiode mit kurzer Erholzeit. Kollektor-Emitter-Spannung von 1100 bis 1600 V Sehr geringer VCEsat Geringe Abschaltverluste Kurzer Endstrom Geringe elektromagnetische Störungen Maximale Verbindungstemperatur: 175 °C Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 30 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 1350 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20V | Verlustleistung max.: | 349 W | Gehäusegröße: | TO-247 | Montage-Typ: | THT | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 3 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Abmessungen: | 16.13 x 5.21 x 21.1mm | Gate-Kapazität: | 2066pF |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt, transistor to-247, 1660979, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IHW30N135R3FKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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