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| Artikel-Nr.:
822EL-1663423 Herst.-Nr.:
FDD770N15A EAN/GTIN:
5059042508833 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 11,4 A
Drain-Source-Spannung max. = 150 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 77 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 56,8 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 6.22mm
Serie = PowerTrench
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 10 A bis 19,9 A, Fairchild Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 11,4 A | Drain-Source-Spannung max.: | 150 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 77 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 56,8 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 6.22mm | Serie: | PowerTrench |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, on semiconductor mosfet, smd transistor, 1663423, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FDD770N15A, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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