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| Artikel-Nr.: 822EL-1684719 Herst.-Nr.: IXFX64N50Q3 EAN/GTIN: 5059041352567 |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 64 A Drain-Source-Spannung max. = 500 V Gehäusegröße = PLUS247 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 85 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 6.5V Verlustleistung max. = 1 kW Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Breite = 5.21mm Betriebstemperatur min. = –55 °C
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Q3. Die HiperFET™ Leistungs-MOSFETs der Klasse IXYS Q3 sind für hartes Schalten wie auch für Resonanzmodusanwendungen geeignet und bieten eine niedrige Gate-Ladung mit außergewöhnlicher Robustheit. Die Geräte umfassen eine schnelle integrierte Diode und sind in einer Reihe von Industriestandard-Gehäusen einschließlich isolierten Ausführungen sowie mit Nennwerten bis zu 1100 V und 70 A erhältlich. Typische Anwendungen umfassen: DC/DC-Wandler, Batterieladegeräte, Schalt- Resonanztyp-Netzteile, DC-Chopper, Temperatur- und Beleuchtungssteuerung. Schnelle interne Gleichrichterdiode Niedriger RDS(ein) und QG (Gate-Ladung) Niedriger intrinsischer Gate-Widerstand Industriestandard-Gehäuse Niedrige Gehäuseinduktivität Hohe Leistungsdichte Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 64 A | Drain-Source-Spannung max.: | 500 V | Gehäusegröße: | PLUS247 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 85 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 6.5V | Verlustleistung max.: | 1 kW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Breite: | 5.21mm | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: ixys mosfet, mosfet, 1684719, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, IXFX64N50Q3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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