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| Artikel-Nr.:
822EL-1684742 Herst.-Nr.:
IXFQ94N30P3 EAN/GTIN:
5059041351430 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 94 A
Drain-Source-Spannung max. = 300 V
Gehäusegröße = TO-3PN
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 36 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Verlustleistung max. = 1,04 kW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 4.9mm
Höhe = 20.3mm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar3™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs der Serie IXYS Polar3™ mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 94 A | Drain-Source-Spannung max.: | 300 V | Gehäusegröße: | TO-3PN | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 36 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Verlustleistung max.: | 1,04 kW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 4.9mm | Höhe: | 20.3mm |
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| Weitere Suchbegriffe: ixys mosfet, mosfet, 1684742, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, IXFQ94N30P3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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