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| Artikel-Nr.:
822EL-1686701 Herst.-Nr.:
STD3NK80Z-1 EAN/GTIN:
5059042316124 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 2,5 A
Drain-Source-Spannung max. = 800 V
Gehäusegröße = IPAK (TO-251)
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 4,5 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 70 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Höhe = 6.2mm
N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V bis 1200 V, STMicroelectronics Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 2,5 A | Drain-Source-Spannung max.: | 800 V | Gehäusegröße: | IPAK (TO-251) | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 4,5 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 3V | Verlustleistung max.: | 70 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Höhe: | 6.2mm |
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| Weitere Suchbegriffe: stm mosfet, mosfet, 1686701, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STD3NK80Z1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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