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STMicroelectronics IGBT / 10 A ±20V max., 600 V 65 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal


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STMicroelectronics IGBT / 10 A ±20V max., 600 V 65 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
Artikel-Nr.:
     822EL-1687156
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STGB10NC60HDT4
EAN/GTIN:
     5059042354089
Suchbegriffe:
IGBT
SMD-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Dauer-Kollektorstrom max. = 10 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 65 W
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Schaltgeschwindigkeit = 1MHz
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 10.4 x 9.35 x 4.6mm
Betriebstemperatur min. = –55 °C

IGBT, diskret, STMicroelectronics
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
10 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
600 V
Gate-Source Spannung max.:
±20V
Verlustleistung max.:
65 W
Gehäusegröße:
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ:
SMD
Channel-Typ:
N
Pinanzahl:
3
Schaltgeschwindigkeit:
1MHz
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Abmessungen:
10.4 x 9.35 x 4.6mm
Betriebstemperatur min.:
–55 °C
Weitere Suchbegriffe: stmicroelectronics transistor, smd transistor, transistor d2-pak, 1687156, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STGB10NC60HDT4, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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