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| Artikel-Nr.:
822EL-1689585 Herst.-Nr.:
DMN2058U-7 EAN/GTIN:
5059043399249 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 4,6 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 91 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1.2V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.4V
Verlustleistung max. = 1,13 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -12 V, +12 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Diodendurchschlagsspannung = 1.2V
N-Kanal-MOSFET, 12 V bis 28 V, Diodes Inc. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 4,6 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 91 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.2V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.4V | Verlustleistung max.: | 1,13 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -12 V, +12 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Diodendurchschlagsspannung: | 1.2V |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet sot-23, 1689585, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, DMN2058U7, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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